晶体管类型: PNP

集射极击穿电压(Vceo): 45V

集电极电流(Ic): 500mA

功率(Pd): 300mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 700mV@500mA,50mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 160@100mA,1V

特征频率(fT):100MHz

工作温度: +150℃@(Tj)